45nm工艺的处理器无意是2008年的关注焦点和市场主力，45nm工艺的处理器产品一经问世便备受瞩目。从技术角度上说，由于以往降低半导体栅极绝缘介质厚度的方法已经无法继续使用，因此45nm工艺的完善完全不像从90nm升级至65nm那么简单，但在High-K和金属栅极在45nm工艺上的顺利实现之后，原有的漏电问题已经彻底解决，45nm工艺的处理器产品应运而生。
酷睿架构处理器成就了Intel多核时代的辉煌，如果说放弃NetBurst转向Core是Intel在P4时代无法解决主频无法提升以及高频低能和散热问题时的无奈之举的话，45nm技术则在是在Core架构扭转局面走向全面辉煌的强心剂，45nm技术使得在相同大小的核心面积内可以容纳更多的晶体管同时降低发热，三倍与前辈E6000系列处理器的晶体管、45nm工艺酷睿架构处理器除了更高的主频和更低的散热，更带来了最新的SSE4.1指令集以及如Intel Wide Dynamic Execution（Intel宽动态执行）、Intel Advanced Smart Cache（Intel先进智能缓存）这样的最新特性。
『45nm处理器核心示意图』
然而Intel的雄心壮志并不与此。随着High-k技术的推出，Intel向世人展现一从65nm-45nm-32nm的路线图，两年一次革新的换代速度的确让人期待，随着High-K和金属栅极技术在45nm工艺上的实现，Penryn系列家族即将见证处理器制造工艺史上的一次飞跃。
Penryn家族CPU新特性
毫无疑问，和65nm的处理器产品相比，45nm产品可以在同样面积的晶圆中集成更多的晶体管，有助于进一步提升产品性能并降低成本，对于桌面用户来说最实际的意义就是，我们可以在同样的价格上买到频率更高、缓存更大的酷睿处理器。可以说，45nm工艺产品的现身，使得Intel在2008年桌面市场的路线更加清晰。
『24路6M二级缓存』
值得一提的是45nm家族在微架构上进行了多方面优化，身携最新的SSE4指令集最值得关注，SSE4指令集合对于多媒体应用进行了算法上的个方面优化，加入47条新的指令集，有益于图形处理、H264、WM9和MEPG-2编码以及在3D数据的产生。
除开SSE4指令集的加，45nm处理器相对于前辈最新的特性改进有：Intel Wide Dynamic Execution（Intel宽动态执行）、Intel Advanced Smart Cache（Intel先进智能缓存）、Intel Smart Memory Access（Intel智能内存存取）、Intel Advanced Digital Media Boost（Intel先进数字媒体增强）、Intel Intelligent Power Capability（Intel智能电源特性）。
上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
|
