高手飞叶摘花亦能伤人，神兵在泛泛之辈手中却只能沦为钝器。如果把内存比作兵器，内存控制器就是使用兵器的人，而形形式式的内存技术，可以看作它们的独门密笈。

● Flex Memory Technology（英特尔弹性内存技术）

　　在以往，双通道内存意味着同规格同容量，但是在弹性内存技术出现之后，非对称双通道模式也成为了可能，这项技术允许两个通道中的内存容量不相等，256M内存和512M内存同样可以实现双通道。只不过是将512M的通道分成两个部分，一部分和256M的通道组成双通道，而剩下的256M仍然工作在单通道模式。

英特尔弹性内存技术

● Memory Pipeline Technology（内存管线技术）

　　Intel 955/975X的绝技，与875的内存加速技术PAT有异曲同工之效。Intel MPT技术可以增强的内存管线，可最大限度利用每个内存通道，加速处理器和系统内存的数据传输。它的主要应用原理是，通过加速处理器和系统内存的传输速度，以获得更高的内存使用效率。该架构还支持同步、异步的数据传输，使用独立的内部管线和仲裁机制。

内存管线技术

● Fast Memory Access（快速内存存取技术）

　　·Intel P965芯片的杀手锏，拥有四项特性：

　　·Just In Time Command Scheduling：通过监控所有未经允许访问的动作，允许安全有效地重叠使用内存总线中的指令。

　　·Out of Order Execution：监控系统内存的未决请求，允许跳跃性读写，增加已打开的内存页面的利用率，从而降低延迟和增加带宽。

　　·Opportunistic Writes：监控系统请求，当内存空闲时发出未决请求，使内存数据流更有效率。

　　·Clock Crossing Optimizations：确保数据以高效率进行传输，在两个频率域之间使数据在第一个可用的时钟相位中传输。

快速内存存取技术

　　如果把MPT和FMA作一个比较，MPT的理念在于提高MCH的工作频率，以减少内存与北桥之间的延迟，而FMA的理念则是优化指令执行的顺序，从而提高内存读/写的效率。

● AMD——内存控制器升级DDR2

　　在处理器内整合内存控制器被认为是AMD K8架构最大成功之处，内存和CPU之间的联系更紧密，这个优势在多路系统上更加明显——每一路处理器都有自己的内存控制器，互相通过广阔的HyperTransport总线相连，不存在对系统总线带宽和内存带宽的争抢瓶颈。

AM2双核处理器支持双通道DDR2内存

　　从Socket 939到Socket 940，AMD在一年之后让DDR2内存成为了AM2平台的标准，处理器的内存控制器最高支持双通道DDR2 800内存。很多人认为K8架构对于内存带宽的要求并不高，这一升级带来的改变并不明显，不过这种说法只适合于DDR2 533和DDR2 667，双通道DDR2 800对于双通道DDR2 400的优势将是决定性的。

　　说到AM2，就不得不提除频问题，因为许多用户发现他们的内存不管怎么调都不是533、667、800等标准频率。以AM2的Athlon64 3000+搭配DDR2 667为例，在BIOS中选AUTO或DDR2 667，内存频率都是600，设置为DDR2 800会变成720。为什么会有这样的情况呢？

　　原来，AMD处理器的主频和内存频率的关系是非常紧密的，中间有涉及到除频这一概念。回忆一下Socket 939平台，其标配的内存都是DDR400，这个400是CPU的主频除以一个被称为除频数（Divider）的整数而得到的，例如：Athlon 64 3000+：1800 MHz / 9 = 200 MHz (DDR400)，Athlon 64 3500+：2200 MHz / 11 = 200 MHz (DDR400)。此时，除频数分别为9和11。使得939 K8处理器的内存总是工作在DDR400。

AM2处理器除频表（点击此处查看全表）

　　然而到了AM2平台，由于DDR2内存的频率较高，DDR2 667和DDR2 800都很难被处理器的频率所整除，以AM2 Athlon 64 3000+为例，主频为1800MHz，无论是除以333还是400都不可能得到整数。AMD用了一个折衷的解决办法，也就是当除下来的频率数字超过标准的内存频率时（533，667，800），就会自动选取下一个除频数，以免超过最大内存频率。计算方法是这样的：1800MHz/5=360MHz（DDR2 720），这是在BIOS中选择DDR2 800，除频为5的情况，如果把内存设置为DDR2 667，除频会变成7，此时内存频率为1800MHz/6=300MHz（DDR2 600）。更具体的我们可以查阅除频表。

　　很大一部分用户对于超频和降频都很反感，关于除频的问题，最好的解决办法是购买主频为2GHz的AM2主处理，此时，除频为5正好是DDR2 800，除频为6，正好是DDR2 667。

● nVIDIA EPP技术挑战JEDEC权威

　　2006年5月，nVIDIA和Corsair联合发布了EPP内存技术，由于制定内存标准的组织JEDEC步伐过于缓慢，DDR2 1066难产，Enhanced Performance Profiles技术应运而生。这是一种新的开放式标准内存规范，通过重新定义66-127Bytes的SPD数据区域，允许内存厂商整合额外内存参数。

Enhanced Performance Profiles

　　简单的说，EPP技术可以通过扩展内存SPD数据和命令区域实现自动超频。有了这项技术，内存厂商就可以自由地制定内存的默认参数，并把最优化的频率、电压、时序等参数写入SPD芯片，硬件玩家只要在BIOS中设置SLI-Memory Ready便可，不必再对着BIOS中那一堆内存的参数头痛不已。

　　如果说频率是DDR2的腾飞的翅膀，那么延迟参数就是DDR2的脚镣，正是由于延迟参数上的劣势明显，DDR2 533在和DDR 400的决斗中显得很狼狈。DDR2内存的时序参数有哪些呢？它们的影响力有多大？哪一个参数更重要？下面的将会回答这些问题。

　　内存的参数很多，而且同一参数往往有不同的叫法。为了更直观地解释，我们从一张CPU-Z 1.38的SPD截图说起吧，鉴于这个软件的影响力和权威性，在此把它对参数的描述作为标准。在描述内存的延迟时，大多数人喜欢采用例如3-3-3-8、5-5-5-15这样的说法，此外还有1T和2T，这五个参数将是解释的重点。

CPU-Z内存SPD信息截图

● CAS Latency（CL），列地址控制器潜伏时间

　　CAS（列地址选通脉冲）控制从接受一个指令到执行指令之间的时间，是最重要的延迟参数。内存中数据是按矩阵形式进行排列的，寻址时必须确定行和列才能正到正确的地址。当寻址的请求触发后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需要预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址，一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe，行地址选通脉冲）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，这个周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS（列地址选通脉冲）开始到CAS结束，这就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的，对性能的影响也是最大的。

列地址控制器潜伏时间

● RAS to CAS（tRCD），行寻址到列寻址延迟时间

　　RAS to CAS是5-5-5-15的第二个参数。对内存进行读、写或者刷新操作时，必须在这行地址选通（RAS）和列地址选通（CAS）这两种脉冲信号之间插入一个延迟时钟周期。在JEDEC的规范中，它是排在第二的参数，降低此延时值可以提高性能。它对内存性能的影响并不是很大，如果设置得太低则会对内存稳定性造成影响。

行寻址到列寻址延迟时间

● RAS Precharge（tRP），行地址控制器预充电时间

　　RAS Precharge用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间，是5-5-5-15中的第三个参数。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，然而，想要把tRP设得太低会对大多数内存提出很高的要求，甚至会造成行激活之前的数据丢失。在DDR2内存中，这项参数推荐设定为4或5，如果内存的频率较高，也可以设为6。

行寻址到列寻址延迟时间

● tRAS（Active to Precharge Delay），行有效至预充电最短周期

　　tRAS是5-5-5-15中的最后一个参数，表示行有效至预充电最短周期。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值必须大于CAS latency + tRCD。在DDR2内存延时参数的设置中，这个差值最好是4或者5。

● Command Per Clock(CPC)，首命令延迟
　　我们常挂在嘴边的1T和2T指的就是Command Per Clock。这个参数的含义是对行物理Bank进行选择后发出具体寻址的行激活命令的时间，以时钟周期为单位。2T比1T可以获得更好的性能。对于AMD的双通道内存控制器而言，设置为1T的性能提升为10%左右，但是对内存的体质和兼容性要求很高。但是在Intel平台上，这个参数并不受关注，这是由于Intel大部分芯片组把内存通道可支持到的最大内存Bank数限制到4个，这样就能够从容的使用1T Timing。

BIOS中的1T和2T

　　对于DDR2内存，我们推荐两组自定义的延迟参数：4-4-4-12和5-5-5-15，这都是可以长期使用的时序。如果是为了冲击更高的成绩不在此限。而这些参数的对内存子系统性能和整机性能会有什么样的影响，在我们的对比测试中将会得到验证。

　　如果曾经仔细对比过同容量不同品牌的DDR2内存，会发现无论尺寸、布局、走线、元件都完全一样，内存的同质化已经越来越严重了，如何挑选出适合超频的内存，关键在于颗粒的体质。目前市面上的内存品牌之多，令人目不暇接。但是颗粒大多来自于Samsung、Hynix、Infineon、Micron、Elpida、PSC、NANYA这几个晶圆厂，内存颗粒上打着不同品牌的LOGO，有的是内存模组厂家购买晶圆之后自行封装自行刻字，有的则是直接购买颗粒并进行打磨。超频最突出的颗粒，大多来自Infineon、Micron和Elpida。

● Micron（镁光）

　　Micron的DDR2内存颗粒分为早期的大D9（Fat D9）和现在的小D9。大D9采用的是110nm的工艺，看起来偏胖。大D9的可怕之处并不在于它可以爬升到很高的频率，更重要的是它在高频率下的超低延迟参数。随着Micron转换了生产工艺，大D9颗粒已经停产，取代它的是小D9颗粒，比起大D9制造成本更低，但在据说供电方面没有大D9颗粒完整，超频能力也稍逊。小D9中当属D9GKX、D9GMH和D9GCT最好超，继承了小D9的在高电压下的高频率以及低时序的传统。其中又以D9GKX和D9GMH比较出众，默认电压超频D9GKX小胜，但是D9GMH可以工作在2.6V甚至2.8V的电压下。

镁光小D9GMH

● Elpida（尔毕达）

　　Elpida是由日立和NEC共同出资建立的DRAM厂家，在DDR时代Elpida的颗粒藉藉无名，但是其DDR2颗粒超频表现却非常抢眼，这种颗粒的特点在于不需要较高的电压就可以达到很高的频率，但是加压带来的效果并不明显，而且在高频率下参数的优化不如Micron的小D9。Elpida的优势在于超高的性价比，小D9颗粒多见于一些天价的豪华内存，但主流内存市场上却到处可见Elpida颗粒，和一般的“平民级”内存价格完全一样。

Elpida颗粒

● Infineon（英飞凌）

　　Infineon在DDR时代表现非常抢眼，其BE-5和CE-5都被许多超频内存采用。到了DDR2时代，Infineon的颗粒也有不错的超频性能，其特点和Elpida比较相似，无须加压就可以工作在极高的频率下，同时对电压的敏感程度并太高。不少DDR2 1066内存都采用了Infineon的颗粒。

Infineon颗粒

　　Samsung（三星）、Hynix（海力士）、NANYA（南亚）和PSC（力晶）都是实力雄厚的晶圆厂商，在DRAM市场均有可观的占有率。但是它们的可超性比不上我们重点介绍的Infineon、Micron和Elpida，在超频测试中，后三款颗粒的表现不负盛名，但是Samsung、Hynix和PSC颗粒中也有黑马横空出世。各位可以关注我们的超频横性能向对比结果。